Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=60 V, Id=375 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

N
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851-494
制造商零件编号:
SQJQ580E-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

375A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK

系列

TrenchFET

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

通道模式

增强模式

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

101nC

正向电压 Vf

1V

最大功耗 Pd

375W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

宽度

5mm

高度

1mm

长度

6mm

标准/认证

AEC-Q101 Qualified

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
Vishay 汽车 MOSFET 是一款专为可靠的电源管理而设计的汽车 N 通道设备。它在高温条件下表现出色,确保在汽车行业的各种应用中实现高效性能。

TrenchFET Gen V 技术可提高功率效率

通过AEC-Q101认证,符合严格的汽车行业标准

最大排放源电压为 80 V,确保稳健运行

低导通电阻可提供高效性能

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