Vishay N沟道 增强模式型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 375 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SQJQ580E-T1_GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 851-494
- 制造商零件编号:
- SQJQ580E-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 851-494
- 制造商零件编号:
- SQJQ580E-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 375A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 101nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 5mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 Qualified | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 375A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 101nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6mm | ||
高度 1mm | ||
宽度 5mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 Qualified | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay 汽车 MOSFET 是一款专为可靠的电源管理而设计的汽车 N 通道设备。它在高温条件下表现出色,确保在汽车行业的各种应用中实现高效性能。
TrenchFET Gen V 技术可提高功率效率
通过AEC-Q101认证，符合严格的汽车行业标准
最大排放源电压为 80 V,确保稳健运行
低导通电阻可提供高效性能