Vishay N沟道 N型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 100 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SIR692DP-T1-UE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 851-506
- 制造商零件编号:
- SIR692DP-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
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Tape(s) | Per Tape |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB16.67 |
| 10 - 24 | RMB10.89 |
| 25 - 99 | RMB6.47 |
| 100 - 499 | RMB6.28 |
| 500 + | RMB6.18 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 851-506
- 制造商零件编号:
- SIR692DP-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0048Ω | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 63.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.05mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 Qualified | |
| 高度 | 1.04mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0048Ω | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63.5nC | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.05mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 Qualified | ||
高度 1.04mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay 高性能 MOSFET 专为在电源管理应用中实现高效开关功能而设计。其坚固的结构确保在各种严苛环境中实现可靠性和卓越功能。
N通道配置提供卓越的运行效率
ThunderFET 技术通过优化接通电阻和开关特性的平衡来提升性能
最大漏源电压为250 V,确保适用于高压应用
设计最大连续漏电流为24.2 A,可适应广泛的负载条件