Vishay N沟道 N型 功率 MOSFET, Vds=70 V, 42.3 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SISS176LDN-T1-BE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 851-508
- 制造商零件编号:
- SISS176LDN-T1-BE3
- 制造商:
- Vishay
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- 851-508
- 制造商零件编号:
- SISS176LDN-T1-BE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 42.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 70V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0125Ω | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| 最大功耗 Pd | 39W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.04mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 Qualified | |
| 宽度 | 5.25mm | |
| 长度 | 6.05mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 42.3A | ||
最大漏源电压 Vd 70V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0125Ω | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.6nC | ||
最大功耗 Pd 39W | ||
最大栅源电压 Vgs 12V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.04mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 Qualified | ||
宽度 5.25mm | ||
长度 6.05mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay N通道MOSFET在电源管理方面具有高效率,其坚固的结构可满足高级电子应用中的各种电气需求。
TrenchFET Gen IV 技术可提升性能
在各种栅极电压下,R DS(on)极低,可确保效率
全面测试确保运行可靠性
无铅(Pb)和无卤素成分符合环保标准