制造商编号

Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=70 V, Id=42.3 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 851-508
制造商零件编号:: SISS176LDN-T1-BE3
制造商:: Vishay

N

Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=70 V, Id=42.3 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

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制造商零件编号:: SISS176LDN-T1-BE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	42.3A
	最大漏源电压 Vd	70V
	包装类型	PowerPAK
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0125Ω
	通道模式	N
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	12.6nC
	最大功耗 Pd	39W
	最大栅源电压 Vgs	12V
	最高工作温度	175°C
	长度	6.05mm
	标准/认证	AEC-Q101 Qualified
	高度	1.04mm
	宽度	5.25mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 42.3A
	最大漏源电压 Vd 70V
	包装类型 PowerPAK
	系列 TrenchFET
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0125Ω
	通道模式 N
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.6nC
	最大功耗 Pd 39W
	最大栅源电压 Vgs 12V
	最高工作温度 175°C
	长度 6.05mm
	标准/认证 AEC-Q101 Qualified
	高度 1.04mm
	宽度 5.25mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SISS176LDN-T1-BE3

COO (Country of Origin):: IL

Vishay N通道MOSFET在电源管理方面具有高效率,其坚固的结构可满足高级电子应用中的各种电气需求。

TrenchFET Gen IV 技术可提升性能

在各种栅极电压下,R DS(on)极低,可确保效率

全面测试确保运行可靠性

无铅(Pb)和无卤素成分符合环保标准

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