Microchip 半桥 N沟道 增强模式型 SiC 电源模块, Vds=3300 V, 295 A, 散热器安装, MSCSM330AM07D3NG, mSiC系列

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854-515
制造商零件编号:
MSCSM330AM07D3NG
制造商:
Microchip
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品牌

Microchip

产品类型

SiC 电源模块

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

295A

最大漏源电压 Vd

3300V

系列

mSiC

安装类型

散热器

通道模式

增强模式

最低工作温度

-40°C

最大功耗 Pd

1918W

最高工作温度

175°C

晶体管配置

半桥

标准/认证

RoHS

汽车标准

Microchip 碳化硅电源模块是专为高电压、高电流应用而设计的相臂解决方案,利用碳化硅技术实现卓越性能和可靠性。

具有低 RDS(on),可提高效率

提供出色的热循环和功率循环可靠性

设计采用铜基板,可提高散热性能

采用 CTI600 塑料外壳,可提高爬电距离和间隙