Microchip N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=600 V, 40 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, APT40N60BC7, APT系列
- RS 库存编号:
- 862-368
- 制造商零件编号:
- APT40N60BC7
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB80.03 |
| 10 - 49 | RMB78.46 |
| 50 - 99 | RMB76.01 |
| 100 + | RMB71.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 862-368
- 制造商零件编号:
- APT40N60BC7
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | APT | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 55mΩ | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 86nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 20.15mm | |
| 高度 | 40.5mm | |
| 标准/认证 | RoHS 3-Compliant | |
| 宽度 | 15.75mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 APT | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 55mΩ | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 86nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 20.15mm | ||
高度 40.5mm | ||
标准/认证 RoHS 3-Compliant | ||
宽度 15.75mm | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip 600 V、40 A 超级结 MOSFET 专为电子应用中的高效电源管理和开关功能而设计。
具有较低的导通电阻，从而降低传导损耗
提供超快速反向恢复，降低开关损耗
可在高开关频率下可靠运行
具备雪崩耐受等级，具有卓越的硬换向鲁棒性