Microchip N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=600 V, 120 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, APT100N60BC7, APT系列
- RS 库存编号:
- 862-370
- 制造商零件编号:
- APT100N60BC7
- 制造商:
- Microchip
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- 制造商零件编号:
- APT100N60BC7
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | APT | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 18Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 226nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 416W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS 3-Compliant | |
| 长度 | 20.15mm | |
| 宽度 | 15.75mm | |
| 高度 | 40.5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 APT | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 18Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 226nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 416W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS 3-Compliant | ||
长度 20.15mm | ||
宽度 15.75mm | ||
高度 40.5mm | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip 超级结 MOSFET 为高压应用提供高效的电源管理。它可在苛刻环境中提供可靠稳健的运行，确保电气系统的卓越性能。
低导通电阻可最大限度减少传导损耗
超快速反向恢复可降低开关损耗
低栅极电荷确保在高频率下可靠运行
具备雪崩耐受等级，具有卓越的硬换向鲁棒性