Microchip N沟道增强型MOSFET模块, Vds=1200 V, Id=236 A, 33针, 模块, MSCSMC系列
- RS 库存编号:
- 931-017
- 制造商零件编号:
- MSCSMC120AM04TBZ2EG
- 制造商:
- Microchip
N
小计（1 件）*
RMB997.94
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB997.94 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 931-017
- 制造商零件编号:
- MSCSMC120AM04TBZ2EG
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET模块 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 236A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | 模块 | |
| 系列 | MSCSMC | |
| 安装类型 | 直接 | |
| 引脚数目 | 33 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 21V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 726nC | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 4.7V | |
| 最大功耗 Pd | 604W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 56.7mm | |
| 宽度 | 62.8mm | |
| 高度 | 16.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET模块 | ||
最大连续漏极电流 Id 236A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 模块 | ||
系列 MSCSMC | ||
安装类型 直接 | ||
引脚数目 33 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.5mΩ | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大栅源电压 Vgs 21V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 726nC | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 4.7V | ||
最大功耗 Pd 604W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 56.7mm | ||
宽度 62.8mm | ||
高度 16.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip 先进碳化硅功率模块在高效应用中提供卓越性能，在需要稳健电源管理和散热能力的严苛环境中尤其如此。
SiC 技术确保低开关和导通损耗
集成热敏电阻有助于实现有效的温度监测
低热阻允许高效散热
超轻重量和外形有助于提高设计灵活性