Microchip N沟道增强型MOSFET模块, Vds=1200 V, Id=266 A, Phase Leg SiC MOSFET系列
- RS 库存编号:
- 931-018
- 制造商零件编号:
- MSCSMC120AM04TBZ2AEG
- 制造商:
- Microchip
N
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 931-018
- 制造商零件编号:
- MSCSMC120AM04TBZ2AEG
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET模块 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 266A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | Phase Leg SiC MOSFET | |
| 安装类型 | 直接安装 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 726nC | |
| 正向电压 Vf | 4.7V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23V | |
| 最大功耗 Pd | 766W | |
| 晶体管配置 | 半桥 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 MOSFET模块 | ||
最大连续漏极电流 Id 266A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 Phase Leg SiC MOSFET | ||
安装类型 直接安装 | ||
最大漏源电阻 Rd 6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 726nC | ||
正向电压 Vf 4.7V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs 23V | ||
最大功耗 Pd 766W | ||
晶体管配置 半桥 | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip 先进功率模块提供高效相桥臂解决方案，专为可靠性和性能至关重要的严苛应用而设计。
采用碳化硅技术，可减少能量损耗
导通电阻随温度漂移很低，确保稳定运行
内置热敏电阻，可实现精确的温度监控
在高频环境中提供卓越性能