STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=11 A, 3针, TO-247, MDmesh系列

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RS 库存编号:
103-1986
制造商零件编号:
STW11NM80
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

11A

最大漏源电压 Vd

800V

包装类型

TO-247

系列

MDmesh

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

400mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

43.6nC

最低工作温度

-65°C

正向电压 Vf

0.86V

最大功耗 Pd

150W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

高度

20.15mm

汽车标准

否

N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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