Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=360 mA, 3针, SOT-23, 2N7002P系列

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RS 库存编号:
103-8114
制造商零件编号:
2N7002P,215
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

360mA

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOT-23

系列

2N7002P

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.6Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.6nC

最大功耗 Pd

420mW

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

150°C

高度

1mm

长度

3mm

标准/认证

No

宽度

1.4mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET，60V 至 80V，Nexperia


MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors


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