Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=100 A, 4针, SOT-669

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RS 库存编号:
103-8122
制造商零件编号:
PSMN1R2-30YLC,115
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOT-669

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

1.65mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

215W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

78nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

4.1mm

高度

1.1mm

长度

5mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
PH

N 通道 MOSFET ，高达 30V


MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors


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