Nexperia P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=3.9 A, 3针, SOT-23

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presentation
onsemi P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=2.4 A, 3针, SOT-23
RS 库存编号
103-5071

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RS 库存编号:
103-8142
制造商零件编号:
PMV65XP,215
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.9A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

76mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.6nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-12V, +12V

最大功耗 Pd

1.92W

正向电压 Vf

-0.8V

最高工作温度

150°C

宽度

1.4mm

标准/认证

No

长度

3mm

高度

1mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET，Nexperia


MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors


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