Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=100 A, 3针, TO-252, OptiMOS-T2系列
- RS 库存编号:
- 110-7111P
- 制造商零件编号:
- IPD100N04S402ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 110-7111P
- 制造商零件编号:
- IPD100N04S402ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | OptiMOS-T2 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 91nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 OptiMOS-T2 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 91nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.41mm | ||
宽度 6.22mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
不适用
Infineon OptiMOS-T2 系列 MOSFET，40V 最大漏源电压，100A 最大连续漏极电流 - IPD100N04S402ATMA1
该 MOSFET 是一款高电流开关晶体管，专为需要稳健热性能和电气性能的苛刻电子系统而设计。它可在宽温度范围内工作，专为表面安装组件而设计，为汽车和工业环境中的功率转换和开关任务提供低导通电阻和高效传导。
特性和优点：
• 2mΩ Rds 可将传导损耗降至最低
• 100A 持续漏极电流，支持高负载应用
• 150W 功耗可实现大量热量处理
• 91nC 栅极电荷可实现可预测的开关控制
• 1.2V 正向电压可降低负载下的导通压降
• 20V 栅极容差有助于防止过度驱动
• 100A 持续漏极电流，支持高负载应用
• 150W 功耗可实现大量热量处理
• 91nC 栅极电荷可实现可预测的开关控制
• 1.2V 正向电压可降低负载下的导通压降
• 20V 栅极容差有助于防止过度驱动
应用
• 适用于需要 AEC‑Q101 认证的汽车功率级
• 用于高电流系统中的 DC-DC 转换器
• 适用于汽车电子设备的电机驱动开关
• 可用于电池管理和配电
• 与紧凑型电源模块上的表面安装组件配合使用
• 用于高电流系统中的 DC-DC 转换器
• 适用于汽车电子设备的电机驱动开关
• 可用于电池管理和配电
• 与紧凑型电源模块上的表面安装组件配合使用
设计人员在电路板布局中应适配哪种封装类型？
该设备采用 TO‑252 封装，适用于表面安装，因此焊盘布局应匹配三引脚配置和散热焊盘要求。
它在极端温度条件下的表现如何？
它可在 -55°C 至 175°C 的温度范围内保持运行，因此适用于存在大幅温度波动和高环境温度的环境。
它采用哪种极性和通道排列？
它是一款 N 通道增强型设备，需要正栅源电压以实现传导，并提供标准 N 通道开关行为。
漏源电压和栅极电压是否有限制？
最大漏源电压为 40V，最大栅源电压为 20V，因此设计必须确保在瞬态情况下不超过这些限制。