Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 20 A, TO-220 FP, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS E6系列

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包装方式：
RS 库存编号:
110-7172P
制造商零件编号:
IPA60R190E6XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

20 A

最大漏源电压

650 V

封装类型

TO-220 FP

系列

CoolMOS E6

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

440 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.5V

最小栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

34 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

长度

10.65mm

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

63 nC @ 10 V

最高工作温度

+150 °C

宽度

4.9mm

晶体管材料

Si

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

0.9V

高度

16.15mm

Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET


Infineon 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，Infineon


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