Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=1.8 A, 4针, SOT-223, OptiMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
110-7754P
制造商零件编号:
BSP372NH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

1.8A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SOT-223

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

270mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

9.5nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1.8W

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

150°C

宽度

3.5mm

标准/认证

No

长度

6.5mm

高度

1.6mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS系列MOSFET，最大漏源电压100V，最大功耗1.8W - BSP372NH6327XTSA1


这款 MOSFET 是表面‑贴装开关晶体管，专为需要紧凑型高‑电压 N‑沟道控制的应用而设计。它可在适用于严苛环境的宽温度范围内工作，旨在满足需要中等持续电流和高效开关特性的应用需求。

特性和优点：


• 100V 漏‑源能力支持高‑压电路
• 270mΩ的低导通电阻可降低导通损耗
• 1.8A 连续漏极电流，确保稳定的负载处理
• 9.5nC 典型栅极电荷，可实现快速驱动响应
• 1.8W 功耗可管理SOT‑223封装的热应力
• 20V 最大栅极驱动，支持灵活的栅极‑驱动设计

应用


• 适用于需要耐用部件的汽车电子子系统
• 适用于紧凑型电源模块的 DC‑DC 转换器
• 适用于需要高‑压开关的电机驱动器
• 可用于电池管理和充电电路
• 用于工业控制板的通用‑开关

哪种封装便于焊接和热传递？


该器件采用 SOT‑223 表面贴装‑封装，在紧凑的占位面积与用于散热的较大散热片之间实现了平衡。

它如何应对极端环境条件？


其规定工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C，涵盖低‑温启动与高‑温运行场景。

设计人员应遵守哪些栅极电压限制？


栅‑源‑电压不得超过 ±20V，以保持在安全工作范围内。

它使用哪种类型的沟道和模式？


它采用N‑沟道增强型‑拓扑结构，专为常规开关和控制任务而设计。

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