Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=50 A, 3针, TO-252, OptiMOS-T2系列
- RS 库存编号:
- 110-7766P
- 制造商零件编号:
- IPD50N04S408ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 110-7766P
- 制造商零件编号:
- IPD50N04S408ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | OptiMOS-T2 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| 最大功耗 Pd | 46W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 OptiMOS-T2 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17.2nC | ||
最大功耗 Pd 46W | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.5mm | ||
高度 2.3mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.22mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
不适用
Infineon OptiMOS-T2 系列 MOSFET，40V 最大漏源电压，50A 最大连续漏极电流 - IPD50N04S408ATMA1
该 MOSFET 是一款 40V N 通道功率晶体管，专为表面安装应用中的高电流开关而设计。它可在宽温度范围内运行，专为满足汽车应力需求而设计，适用于需要高效传导和耐热性的稳健电子功率级。
特性和优点：
• 7.9mΩ Rds(on) 可降低传导损耗，从而提高效率
• 50A 连续漏极电流，支持大电流开关
• 17.2nC 典型栅极电荷可加速开关转换
• 46W 最大功耗可管理运行中的热负载
• 20V 最大栅极容差可防止栅极过压
• 增强型 N 通道提供简单的栅极驱动控制
• 50A 连续漏极电流，支持大电流开关
• 17.2nC 典型栅极电荷可加速开关转换
• 46W 最大功耗可管理运行中的热负载
• 20V 最大栅极容差可防止栅极过压
• 增强型 N 通道提供简单的栅极驱动控制
应用
• 适用于 12V 汽车配电级
• 非常适用于同步降压转换器输出级
• 与电机驱动半桥电路配合使用
• 可用于高电流 DC‑DC 转换模块
• 适用于工业控制装置的电源管理
• 非常适用于同步降压转换器输出级
• 与电机驱动半桥电路配合使用
• 可用于高电流 DC‑DC 转换模块
• 适用于工业控制装置的电源管理
它在运行过程中能承受哪些环境温度范围？
其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，可适应极端冷启动和高温环境。
封装对组装和热路径有何影响？
TO‑252 表面安装封装提供紧凑的封装尺寸和 PCB 直接热路径以实现散热。
实现可靠开关需要考虑哪些栅极驱动因素？
驱动电压应保持在栅源额定值的 ±20V 范围内，且足以在低 Rds(on) 下完全增强通道。
该设备在连续重载下的表现如何？
它支持高达 50A 的连续漏极电流，同时耗散高达 46W，需要合适的 PCB 热设计以保持结温。