Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 6 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS™ C3系列
- RS 库存编号:
- 110-7776P
- 制造商零件编号:
- SPP06N80C3XKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 100 件 (按管提供)*
¥899.10
(不含税)
¥1,016.00
(含税)
正在逐步停售
- 最终 100 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 490 | RMB8.991 |
| 500 - 990 | RMB8.714 |
| 1000 - 2490 | RMB8.526 |
| 2500 + | RMB8.341 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 110-7776P
- 制造商零件编号:
- SPP06N80C3XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 系列 | CoolMOS™ C3 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 900 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.9V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大功率耗散 | 83 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 宽度 | 4.57mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 15.95mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
系列 CoolMOS™ C3 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 900 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.9V | ||
最小栅阈值电压 2.1V | ||
最大功率耗散 83 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V | ||
长度 10.36mm | ||
宽度 4.57mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 15.95mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。