STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=12 A, 3针, TO-263, MDmesh DM2系列
- RS 库存编号:
- 111-6459P
- 制造商零件编号:
- STB18N60DM2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 制造商零件编号:
- STB18N60DM2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | MDmesh DM2 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 290mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | -25V, +25V | |
| 最大功耗 Pd | 90W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 9.35mm | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 宽度 | 10.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 MDmesh DM2 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 290mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs -25V, +25V | ||
最大功耗 Pd 90W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 9.35mm | ||
高度 4.6mm | ||
宽度 10.4mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronics
MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。
高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性
符合 AEC-Q101