onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 680 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 121-2747
- 制造商零件编号:
- FDV303N
- 制造商:
- onsemi
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 121-2747
- 制造商零件编号:
- FDV303N
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 680 mA | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 450 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 0.65V | |
| 最大功率耗散 | 350 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | +8 V | |
| 长度 | 2.92mm | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.64 nC @ 4.5 V | |
| 高度 | 0.93mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 680 mA | ||
最大漏源电压 25 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 450 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 0.65V | ||
最大功率耗散 350 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 +8 V | ||
长度 2.92mm | ||
宽度 1.3mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.64 nC @ 4.5 V | ||
高度 0.93mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。