onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 500 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚

RS 库存编号:: 121-2748
制造商零件编号:: FDV301N
制造商:: onsemi

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 500 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚

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RS 库存编号:: 121-2748
制造商零件编号:: FDV301N
制造商:: onsemi

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	500 mA
	最大漏源电压	25 V
	封装类型	SOT-23
	安装类型	贴片
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	9 Ω
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	1.06V
	最小栅阈值电压	0.7V
	最大功率耗散	350 mW
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	+8 V
	每片芯片元件数目	1
	晶体管材料	Si
	宽度	1.3mm
	最高工作温度	+150 °C
	典型栅极电荷@Vgs	0.49 nC @ 4.5 V
	长度	2.92mm
	高度	0.93mm
	最低工作温度	-55 °C
	正向二极管电压	1.2V

	选择全部
	品牌 onsemi
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 500 mA
	最大漏源电压 25 V
	封装类型 SOT-23
	安装类型贴片
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 9 Ω
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 1.06V
	最小栅阈值电压 0.7V
	最大功率耗散 350 mW
	晶体管配置单
	最大栅源电压 +8 V
	每片芯片元件数目 1
	晶体管材料 Si
	宽度 1.3mm
	最高工作温度 +150 °C
	典型栅极电荷@Vgs 0.49 nC @ 4.5 V
	长度 2.92mm
	高度 0.93mm
	最低工作温度 -55 °C
	正向二极管电压 1.2V

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