Renesas Electronics P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 15 A, DPAK-S (TO-252), 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 121-6882
- 制造商零件编号:
- 2SJ530STL-E
- 制造商:
- Renesas Electronics
不可供应
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- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 15 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | DPAK-S (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 160 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 30 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 宽度 | 5.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 正向二极管电压 | 1.1V | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 15 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 DPAK-S (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 160 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 30 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 6.5mm | ||
宽度 5.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
正向二极管电压 1.1V | ||
高度 2.3mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
P 沟道 MOSFET 、 Renesas Electronics （ NEC ）
MOSFET 晶体管，Renesas Electronics (NEC)