Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=500 V, Id=19 A, 3针, TO-247AC, E系列

RS 库存编号:: 121-9656
制造商零件编号:: SIHG20N50E-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=500 V, Id=19 A, 3针, TO-247AC, E系列

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RS 库存编号:: 121-9656
制造商零件编号:: SIHG20N50E-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	19A
	最大漏源电压 Vd	500V
	包装类型	TO-247AC
	系列	E
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	184mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	-30V, +30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	46nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	最大功耗 Pd	179W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	长度	15.87mm
	宽度	5.31mm
	高度	20.82mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 19A
	最大漏源电压 Vd 500V
	包装类型 TO-247AC
	系列 E
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 184mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs -30V, +30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	最大功耗 Pd 179W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	长度 15.87mm
	宽度 5.31mm
	高度 20.82mm
	汽车标准否

Vishay E 系列功率 MOSFET，500V 漏源电压，19A 连续漏极电流 - SIHG20N50E-GE3

这款功率 MOSFET 是一款高压 N 通道增强型设备，专为功率转换和开关应用而设计。它具有强大的开关能力，适用于传统组件中的通孔安装，可在宽环境温度范围内运行，适用于苛刻的电子环境。

特性和优点：

• 500V 漏电能力支持高压功率级
• 19A 连续漏极电流可实现大量负载处理
• 179W 功耗，支持高功率运行
• 184mΩ 最大 RDS(on) 可最大限度减少传导损耗
• 46nC 典型栅极电荷可降低开关控制能量
• 30V 最大栅极额定值允许标准栅极驱动电压

应用

• 适用于开关电源的电力电子 MOSFET
• 适用于 500V 通孔 TO-247 功率晶体管组件
• 与高压逆变器和电机驱动级配合使用
• 可用于工业电源和转换器
• 用于传统的通孔维修和原型板

在高温环境中部署时的热限制是多少？

其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在高温系统中运行。

为实现可靠安装，需要采用哪种安装方式？

该设备采用 TO-247AC 封装，为通孔安装，与标准波峰焊或手动焊接工艺以及散热器配置兼容。

在设计过程中，应考虑哪些栅极驱动因素？

设计用于最大 30V 的栅源额定电压，在调整驱动电路时，典型的栅极电荷为 46nC。

该部件在制造过程中是如何满足材料限制要求的？

它符合 RoHS 标准，满足环境法规的材料限制要求。