Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=500 V, 19 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SIHG20N50E-GE3, E系列

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121-9656
制造商零件编号:
SIHG20N50E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

19A

最大漏源电压 Vd

500V

系列

E

包装类型

TO-247AC

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

184mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

46nC

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

179W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

高度

20.82mm

标准/认证

RoHS

宽度

5.31mm

长度

15.87mm

汽车标准

否

Vishay E 系列功率 MOSFET,500 V 漏源电压,19 A 最大连续漏电流 - SIHG20N50E-GE3


此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,专为工业和电气系统中的开关和功率转换而设计。它以增强模式运行,并采用通孔 TO-247 封装,适用于需要稳固安装和简单热管理的组件。该设备支持高漏源电压,专为要求高功率处理和栅极驱动能力的应用而设计。

特性和优点：


• 500V 最大 Vds,可实现高电压切换能力
• 19 A 连续漏电流,可处理大量负载
• 184 mΩ Rds(on),可减少传导损耗
• 46 nC 典型栅极电荷,可满足可预测的驱动要求
• 179W 最大功耗,用于高热应力管理
• 30 V 最大栅极-源电压,实现广泛的栅极驱动兼容性

应用


• 适用于电源系统中的高压直流-直流转换器
• 适用于工业电机驱动开关级
• 与电信和基础设施设备的电源配合使用
• 可用于反相器中的硬切换拓扑
• 适用于实验室和原型设计通孔电源设计

它能在什么温度范围内可靠运行?


该设备的额定最低环境温度为-55°C,最高工作温度为150°C,可适应各种环境条件。

该封装如何支持安装和散热?


TO-247通孔封装提供大片面积,用于散热和固定PCB或底盘安装,便于在高耗散应用中进行热管理。

在设计过程中,应遵守哪些栅极驱动限值?


栅极源电压不得超过 30 V,以避免栅极氧化应力,设计人员应将驱动器尺寸调整为可处理典型 46 nC 栅极电荷,以实现受控开关。

使用此设备时是否考虑切换损耗?


在计算总开关能量时,设计人员应考虑接通状态下的 184 mΩ 导电损耗以及与 46 nC 栅极电荷相关的动态损耗。