制造商编号

Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=13.4 A, 8针, SOIC, Si4403CDY系列

RS 库存编号:: 121-9657
制造商零件编号:: SI4403CDY-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=13.4 A, 8针, SOIC, Si4403CDY系列

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RMB54.09

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RS 库存编号:: 121-9657
制造商零件编号:: SI4403CDY-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	13.4A
	最大漏源电压 Vd	20V
	包装类型	SOIC
	系列	Si4403CDY
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	20mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	5W
	最大栅源电压 Vgs	8V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	60nC
	正向电压 Vf	-0.66V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	宽度	4mm
	长度	5mm
	高度	1.55mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 13.4A
	最大漏源电压 Vd 20V
	包装类型 SOIC
	系列 Si4403CDY
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 20mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 5W
	最大栅源电压 Vgs 8V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 60nC
	正向电压 Vf -0.66V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	宽度 4mm
	长度 5mm
	高度 1.55mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: CN

Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=13.4 A, 8针, SOIC, Si4403CDY系列

P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor

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