Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 13.4 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, SI4403CDY-T1-GE3, Si4403CDY系列

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121-9657
制造商零件编号:
SI4403CDY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

13.4A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

Si4403CDY

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

20mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

5W

最大栅源电压 Vgs

8 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

60nC

正向电压 Vf

-0.66V

最高工作温度

150°C

高度

1.55mm

标准/认证

No

长度

5mm

宽度

4 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor