Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 259 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, NexFET系列
- RS 库存编号:
- 121-9764
- 制造商零件编号:
- CSD19536KCS
- 制造商:
- Texas Instruments
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- Texas Instruments
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 259 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | NexFET | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 3.2 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大功率耗散 | 375 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 118 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 高度 | 16.51mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 259 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 NexFET | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 3.2 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.2V | ||
最小栅阈值电压 2.1V | ||
最大功率耗散 375 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 118 nC @ 10 V | ||
宽度 4.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.67mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
高度 16.51mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Texas Instruments