DiodesZetex N/P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, SOIC, 贴片安装, 8引脚

查看所有MOSFET
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
RS 库存编号:
122-3286
制造商零件编号:
ZXMC4559DN8TA
制造商:
DiodesZetex
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

DiodesZetex

通道类型

N，P

最大连续漏极电流

2.6 A，4.7 A

最大漏源电压

60 V

封装类型

SOIC

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

75 mΩ, 125 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

1V

最大功率耗散

2.1 W

晶体管配置

隔离式

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

3.95mm

每片芯片元件数目

2

最高工作温度

+150 °C

典型栅极电荷@Vgs

20.4 nC @ 10 V，24.2 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

长度

4.95mm

高度

1.5mm

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
CN

双 N/P 通道 MOSFET，Diodes Inc.


该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，Diodes Inc.