onsemi N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=150 V, Id=79 A, 3针, JEDEC TO-220AB, PowerTrench系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 管，共 50 件）*

RMB842.90

(不含税)

RMB952.50

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年7月19日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
Per Tube*
50 - 50RMB16.858RMB842.90
100 - 150RMB16.352RMB817.60
200 +RMB15.862RMB793.10

* 参考价格

RS 库存编号:
124-1748
制造商零件编号:
FDP2532
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

产品类型

功率MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

79A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

PowerTrench

包装类型

JEDEC TO-220AB

安装类型

通孔, 表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.016Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

82nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.25V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

310W

最高工作温度

175°C

高度

9.4mm

长度

10.67mm

标准/认证

No

宽度

4.83mm

汽车标准

否

PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor


Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

相关链接