Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=25 A, 4针, PowerPAK, E系列
- RS 库存编号:
- 124-2251P
- 制造商零件编号:
- SIHH26N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 499 | RMB45.34 |
| 500 - 999 | RMB43.91 |
| 1000 - 2999 | RMB42.99 |
| 3000 + | RMB42.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 124-2251P
- 制造商零件编号:
- SIHH26N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 系列 | E | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 135mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 202W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 77nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | -30, +30V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 8.1mm | |
| 长度 | 8.1mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 PowerPAK | ||
系列 E | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 135mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 202W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 77nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs -30, +30V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 8.1mm | ||
长度 8.1mm | ||
高度 1mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor
Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。
特点
低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低输入电容 (Ciss)
低接通电阻（RDS（接通））
超低栅极电荷 (Qg)
快速切换
减少切换和传导损耗