Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=1.9 A, 3针, SOT-23, BSH108系列

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presentation
onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=2.1 A, 3针, SOT-23, MGSF1N03L系列
RS 库存编号
162-8966

个（每带 3000 ）

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RS 库存编号:
124-2287
制造商零件编号:
BSH108,215
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

1.9A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

BSH108

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

120mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.5V

最低工作温度

-65°C

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

830mW

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.4nC

最高工作温度

150°C

宽度

1.4mm

标准/认证

No

长度

3mm

高度

1mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET ，高达 30V


MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors


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