Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 30 A, LFPAK, 贴片安装, 4+Tab引脚
- RS 库存编号:
- 124-3703
- 制造商零件编号:
- RJK0852DPB-WS#J5
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB8.168 | RMB40.84 |
| 10 - 20 | RMB7.352 | RMB36.76 |
| 25 - 120 | RMB6.688 | RMB33.44 |
| 125 - 245 | RMB6.192 | RMB30.96 |
| 250 + | RMB5.804 | RMB29.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 124-3703
- 制造商零件编号:
- RJK0852DPB-WS#J5
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 30 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 封装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 4+Tab | |
| 最大漏源电阻值 | 14 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 55 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 5.3mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 28 nC @ 4.5 V | |
| 宽度 | 3.95mm | |
| 高度 | 1.03mm | |
| 正向二极管电压 | 1.1V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 30 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
封装类型 LFPAK | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 4+Tab | ||
最大漏源电阻值 14 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 55 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 5.3mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 4.5 V | ||
宽度 3.95mm | ||
高度 1.03mm | ||
正向二极管电压 1.1V | ||
N 通道低电压 MOSFET，高达 140V，Renesas Electronics
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