制造商编号

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, 3针, SC-75, RE1C001UN系列

RS 库存编号:: 124-6782
制造商零件编号:: RE1C001UNTCL
制造商:: ROHM

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, 3针, SC-75, RE1C001UN系列

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单位	每单位	每包*
150 - 600	RMB0.778	RMB116.70
750 - 1350	RMB0.759	RMB113.85
1500 - 3600	RMB0.74	RMB111.00
3750 - 7350	RMB0.721	RMB108.15
7500 +	RMB0.703	RMB105.45

* 参考价格

RS 库存编号:: 124-6782
制造商零件编号:: RE1C001UNTCL
制造商:: ROHM

产品技术参数

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法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大漏源电压 Vd	20V
	系列	RE1C001UN
	包装类型	SC-75
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3.5Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	8V
	正向电压 Vf	1.2V
	最大功耗 Pd	150mW
	最高工作温度	150°C
	高度	0.8mm
	长度	1.7mm
	宽度	0.96mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大漏源电压 Vd 20V
	系列 RE1C001UN
	包装类型 SC-75
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3.5Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 8V
	正向电压 Vf 1.2V
	最大功耗 Pd 150mW
	最高工作温度 150°C
	高度 0.8mm
	长度 1.7mm
	宽度 0.96mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM

MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor

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