ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=100 mA, 3针, SC-75, RE1C001UN系列

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RS 库存编号:
124-6782P
制造商零件编号:
RE1C001UNTCL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100mA

最大漏源电压 Vd

20V

系列

RE1C001UN

包装类型

SC-75

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.5Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

150mW

最大栅源电压 Vgs

-8V, +8V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

长度

1.7mm

宽度

960μm

标准/认证

RoHS

高度

800μm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM


MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor


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