ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 200 mA, SOT-323, 表面安装, 3引脚, RU1C002ZPTCL, RU1C002ZP系列

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制造商零件编号:
RU1C002ZPTCL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

200mA

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SOT-323

系列

RU1C002ZP

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.2Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.4nC

最大功耗 Pd

150mW

最大栅源电压 Vgs

±10 V

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

长度

2.1mm

高度

1mm

宽度

1.35 mm

汽车标准

P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM


MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor