ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=100 mA, 3针, ESM, RUM001L02系列

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包装方式：
RS 库存编号:
124-6838P
制造商零件编号:
RUM001L02T2CL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100mA

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

ESM

系列

RUM001L02

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.5Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

150mW

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

-8V, +8V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

0.9mm

高度

0.45mm

长度

1.3mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM


MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor


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