ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=200 mA, 3针, ESM, RUM002N02系列

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RS 库存编号:
124-6839
制造商零件编号:
RUM002N02T2L
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

200mA

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

ESM

系列

RUM002N02

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

4.8Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

150mW

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

8V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

高度

0.45mm

长度

1.3mm

标准/认证

No

宽度

0.9mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM


MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor


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