ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 200 mA, ESM, 表面安装, 3引脚, RUM002N02T2L, RUM002N02系列

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124-6839
制造商零件编号:
RUM002N02T2L
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

200mA

最大漏源电压 Vd

20V

系列

RUM002N02

包装类型

ESM

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

4.8Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

150mW

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

8 V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

高度

0.45mm

宽度

0.9 mm

长度

1.3mm

标准/认证

No

汽车标准

N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM


MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor