ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 200 mA, SOT-723, 贴片安装, 3引脚, RUM002N02系列
- RS 库存编号:
- 124-6839
- 制造商零件编号:
- RUM002N02T2L
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 1900 | RMB0.568 | RMB56.80 |
| 2000 - 3900 | RMB0.551 | RMB55.10 |
| 4000 + | RMB0.535 | RMB53.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 124-6839
- 制造商零件编号:
- RUM002N02T2L
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SOT-723 | |
| 系列 | RUM002N02 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 4.8 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.3V | |
| 最大功率耗散 | 150 mW | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 0.9mm | |
| 长度 | 1.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 0.45mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 200 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 SOT-723 | ||
系列 RUM002N02 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 4.8 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最小栅阈值电压 0.3V | ||
最大功率耗散 150 mW | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 0.9mm | ||
长度 1.3mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 0.45mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM
MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor