Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=250 V, 60 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
124-8961
制造商零件编号:
IRFB4332PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

250V

包装类型

TO-220

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

33mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-40°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

99nC

最大栅源电压 Vgs

30 V

最大功耗 Pd

390W

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

4.82 mm

高度

9.02mm

长度

10.66mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
MX

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，60A 最大连续漏极电流，390W 最大功率耗散 - IRFB4332PBF


这款 MOSFET 专为自动化和电子领域的高性能应用而设计。它采用先进的 HEXFET 技术，可确保在关键环境中实现最佳效率和可靠性。该设备规格坚固，设计方便用户使用，适用于各种工业应用。它能在严格的条件下有效运行，符合现代电子系统的要求。

特点和优势


• N 沟道配置支持高效电流流动

• 连续漏极电流额定值为 60A，性能强劲

• 高达 250V 的高电压容量增强了多功能性

• 低导通电阻可提高效率并最大限度地减少发热量

• 增强模式运行可提高数字应用的稳定性

• 高功率耗散能力有助于提高负载下的可靠性

应用


• 应用于能源回收系统以提高效率

• 适用于通行开关 空间有限

• 用于等离子显示面板以提高性能

• 适用于需要持续大电流的自动化控制装置

最佳运行的温度范围是多少？


该设备可在 -40°C 至 +175°C 的温度范围内有效运行，因此可在各种环境条件下工作。

栅极阈值电压对性能有何影响？


它的阈值电压介于 3V 和 5V 之间，可在开关应用中实现精确控制。

它能处理高脉冲电流吗？


是的，该设计可容纳脉冲漏极电流，在特定条件下可达到 230A，这对瞬态应用非常有利。

有哪些热管理要求？


考虑到最大功率耗散为 390 瓦，为保持最佳性能，应采取适当的冷却措施。

是否与各种安装配置兼容？


TO-220AB 封装允许直接通孔安装，提高了多种电路设计的兼容性。