Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 124-8963
制造商零件编号:: IRFB4110PBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 124-8963
制造商零件编号:: IRFB4110PBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	180A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	5mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	150nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	370W
	最高工作温度	175°C
	高度	9.02mm
	长度	10.66mm
	宽度	4.82 mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 180A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 5mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 150nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 370W
	最高工作温度 175°C
	高度 9.02mm
	长度 10.66mm
	宽度 4.82 mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: MX

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，180A 最大连续漏极电流，370W 最大功率耗散 - IRFB4110PBF

这款 MOSFET 是专为自动化、电子和电气行业应用量身定制的高效功率晶体管。其坚固的结构和精确的规格为那些对效率和可靠性要求极高的应用提供了多功能解决方案。它采用增强模式设计和 N 沟道配置，适用于高速开关操作。

特点和优势

• 最大 180A 连续漏极电流支持高性能

• 漏极至源极电压范围为 100V，可满足各种应用需求

• 4.5mΩ 的低 RDS（on）降低了功率损耗，提高了效率

• 功率耗散能力高达 370 瓦，确保了稳定性

• 改进的热特性提高了极端条件下的可靠性

• 对雪崩和动态 dv/dt 强度的全面鉴定提高了耐用性

应用

• 用于电源的高效同步整流

• 适用于不间断供电系统

• 高速功率开关电路的理想选择

• 适用于硬开关和高频电路

要达到最佳性能，适合的工作温度范围是多少？

它能在 -55°C 至 +175°C 温度范围内有效运行，确保在各种环境下都能正常工作。

MOSFET 如何将电路中的能量损失降至最低？

4.5mΩ 的低 RDS(on)大大降低了传导损耗，可在电力电子设备中高效运行。

它能用于高频应用吗？

是的，它的设计有利于高速开关，适合需要快速开关转换的应用。

正确安装的热阻值是多少？

结到外壳的热阻为 0.402°C/W，外壳到散热器的热阻为 0.50°C/W，从而实现了有效散热。

使用过程中应考虑哪些雪崩特征？

它支持单脉冲雪崩能量额定值，提供瞬态电压尖峰保护，确保电路设计的可靠性。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列