Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 160 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 124-8964
- 制造商零件编号:
- IRLU8743PBF
- 制造商:
- Infineon
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- IRLU8743PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 160A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | IPAK | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 39nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 135W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 2.39 mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 160A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 IPAK | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 39nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 135W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 2.39 mm | ||
长度 6.73mm | ||
高度 6.22mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，160A 最大连续漏极电流，135W 最大功率耗散 - IRLU8743PBF
这款 MOSFET 是一款增强型器件，专为高效开关应用而设计。它采用先进技术，在高频操作中表现出色，适用于各种工业场景中的电源管理。它的规格令人印象深刻，能有效管理大电流负载，同时保持低电阻，确保在各种条件下的性能。
特点和优势
• 低导通电阻可减少运行时的功率损耗
• 160A 的高连续漏极电流可支持大量负载
• 电压范围高达 30V，便于各种应用
• 采用 IPAK TO-251 封装，可直接安装
• 完全特性化的雪崩能力提高了运行可靠性
应用
• 高频同步降压转换器
• 工业环境中的隔离式直流-直流转换器
• 计算机处理器电源管理系统
• 大电流电源
它在高温环境下的性能如何？
该设备的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，可确保在极端条件下保持稳定的性能。
低 RDS(on) 对我的设计有何意义？
较低的 RDS（on）值可最大限度地减少传导损耗，促进能源的高效利用和有效的热管理，这对大电流应用至关重要。
它能用于脉冲应用吗？
是的，它的设计支持脉冲电流处理，因此适用于需要瞬态响应的各种应用。
安装时应考虑哪些因素？
必须确保适当的热管理，并验证与电路电压和电流规格的兼容性，以优化性能。
是否需要额外的闸门控制组件？
加入栅极驱动电路可能有利于提高开关性能，尤其是在高频应用中。