Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=250 V, 57 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 124-9018
- 制造商零件编号:
- IRFP4332PBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB19.678 | RMB491.95 |
| 50 - 75 | RMB19.087 | RMB477.18 |
| 100 + | RMB18.706 | RMB467.65 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 124-9018
- 制造商零件编号:
- IRFP4332PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 57 A | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 封装类型 | TO-247AC | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 33 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 360 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 宽度 | 5.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 99 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 高度 | 20.3mm | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 57 A | ||
最大漏源电压 250 V | ||
封装类型 TO-247AC | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 33 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 360 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
长度 15.9mm | ||
宽度 5.3mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 99 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
高度 20.3mm | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，Infineon
电动机控制 MOSFET
Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
同步整流器 MOSFET
同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。