Infineon N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=150 V, 171 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 124-9020
- 制造商零件编号:
- IRFP4568PBF
- 制造商:
- Infineon
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- IRFP4568PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 171A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-247AC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 151nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 684W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 5.31 mm | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 高度 | 20.7mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 171A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-247AC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 151nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 684W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 5.31 mm | ||
长度 15.87mm | ||
高度 20.7mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon HEXFET 系列 MOSFET,171A 最大连续漏极电流,517W 最大功率耗散 - IRFP4568PBF
这款 N 沟道 MOSFET 专为在各种电子电路中实现高效率和一致的性能而设计。其强大的功能可满足电源管理和开关应用的需要。TO-247AC 封装便于进行有效的热管理,并简化了通孔配置的安装。
特点和优势
• 增强的体二极管恢复特性提高了可靠性
• 低导通电阻最大限度地减少了运行过程中的功率损耗
• 517 W 的最大功率耗散能力可满足高需求应用。
• 宽广的工作温度范围(-55°C 至 +175°C )确保了在各种环境下的功能性。
• 出色的栅极阈值电压优化了开关操作过程中的性能。
• 单晶体管配置简化了电路设计,便于使用
应用
• 高效同步整流
• 不间断电源,提供可靠的后备电源
• 高速功率开关电路
• 适用于硬开关和高频开关
该设备可支持的最大连续漏极电流是多少?
在最佳条件下,该器件的最大连续漏极电流可达 171 A。
设备在运行过程中如何控制热量?
该器件的最大功率耗散为 517W,可有效处理运行过程中产生的热量。
一般的登机口收费要求是什么?
栅极到源极电压为 10 V 时,典型的栅极电荷约为 151 nC,从而确保了高效的开关性能。
它能承受极端的温度变化吗?
是的,它的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,适合各种环境条件。
该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。
电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,Infineon
电动机控制 MOSFET
Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
同步整流器 MOSFET
同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。
MOSFET 晶体管,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
