Infineon N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=150 V, 171 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
124-9020
制造商零件编号:
IRFP4568PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

171A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

HEXFET

包装类型

TO-247AC

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

5.9mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

±30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

151nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

684W

最高工作温度

175°C

宽度

5.31 mm

长度

15.87mm

高度

20.7mm

标准/认证

No

汽车标准

COO (Country of Origin):
MX

Infineon HEXFET 系列 MOSFET,171A 最大连续漏极电流,517W 最大功率耗散 - IRFP4568PBF


这款 N 沟道 MOSFET 专为在各种电子电路中实现高效率和一致的性能而设计。其强大的功能可满足电源管理和开关应用的需要。TO-247AC 封装便于进行有效的热管理,并简化了通孔配置的安装。

特点和优势


• 增强的体二极管恢复特性提高了可靠性

• 低导通电阻最大限度地减少了运行过程中的功率损耗

• 517 W 的最大功率耗散能力可满足高需求应用。

• 宽广的工作温度范围(-55°C 至 +175°C )确保了在各种环境下的功能性。

• 出色的栅极阈值电压优化了开关操作过程中的性能。

• 单晶体管配置简化了电路设计,便于使用

应用


• 高效同步整流

• 不间断电源,提供可靠的后备电源

• 高速功率开关电路

• 适用于硬开关和高频开关

该设备可支持的最大连续漏极电流是多少?


在最佳条件下,该器件的最大连续漏极电流可达 171 A。

设备在运行过程中如何控制热量?


该器件的最大功率耗散为 517W,可有效处理运行过程中产生的热量。

一般的登机口收费要求是什么?


栅极到源极电压为 10 V 时,典型的栅极电荷约为 151 nC,从而确保了高效的开关性能。

它能承受极端的温度变化吗?


是的,它的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,适合各种环境条件。

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


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