Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 130 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
124-9022
制造商零件编号:
IRFP4668PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

130A

最大漏源电压 Vd

200V

包装类型

TO-247

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

10mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

161nC

最大功耗 Pd

520W

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

30 V

最高工作温度

175°C

长度

15.87mm

高度

20.7mm

宽度

5.31 mm

标准/认证

No

汽车标准

COO (Country of Origin):
MX

Infineon HEXFET 系列 MOSFET,130A 最大连续漏极电流,200V 最大漏极源极电压 - IRFP4668PBF


这款 MOSFET 是一款高性能 N 沟道器件,专为各种应用中的高效电源管理而设计。其尺寸为长 15.87 毫米、宽 5.31 毫米、高 20.7 毫米,采用 TO-247AC 封装。该产品规格坚固,包括 130A 的最大连续漏极电流和 200V 的最大漏极-源极电压,是要求苛刻的电气应用的理想之选。

特点和优势


• 增强型体二极管可提高开关性能

• 10mΩ 的低 Rds(on)最大限度地减少了功率损耗

• 同步整流电路的高效率

• 在动态 dV/dt 条件下更加坚固耐用

• 全面鉴定雪崩和热性能,确保可靠性

应用


• 用于高速电源开关

• 适用于不间断供电系统

• 硬开关和高频电路的理想选择

• 适用于各种自动化和工业动力系统

安全运行的热额定值是多少?


25°C 时的最大功率耗散为 520W,结温不应超过 175°C,以确保安全运行。

栅极阈值电压对功能有何影响?


栅极阈值电压范围为 3V 至 5V,便于在开关操作期间进行有效控制,这对功率应用中的可靠性能至关重要。

这种 MOSFET 能否处理高脉冲电流负载?


是的,它的额定脉冲漏极电流高达 520A,适合需要高电流处理能力的重型应用。

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。