Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 13.7 A, I2PAK (TO-262), 通孔安装, 3引脚, DTMOSIV系列
- RS 库存编号:
- 125-0537
- 制造商零件编号:
- TK14C65W5,S1Q(S2
- 制造商:
- Toshiba
不可供应
RS 不再对该产品备货。
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- 125-0537
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- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 13.7 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 系列 | DTMOSIV | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 300 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 130 W | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| 高度 | 10.4mm | |
| 正向二极管电压 | 1.7V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 13.7 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
系列 DTMOSIV | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 300 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 130 W | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V | ||
高度 10.4mm | ||
正向二极管电压 1.7V | ||
MOSFET 晶体管，Toshiba