Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 25 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, DTMOSIV系列

品牌

Toshiba

通道类型

N

最大连续漏极电流

25 A

最大漏源电压

600 V

封装类型

TO-220

系列

DTMOSIV

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

140 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4.5V

最小栅阈值电压

3V

最大功率耗散

180 W

最大栅源电压

-30 V、+30 V

宽度

4.45mm

长度

10.16mm

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

60 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

正向二极管电压

1.7V

高度

15.1mm