Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 75 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, U-MOSVIII-H系列

品牌

Toshiba

通道类型

N

最大连续漏极电流

75 A

最大漏源电压

100 V

封装类型

TO-220

系列

U-MOSVIII-H

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

9.5 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

103 W

最大栅源电压

-20 V、+20 V

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

宽度

4.45mm

每片芯片元件数目

1

长度

10.16mm

典型栅极电荷@Vgs

38 nC @ 10 V

正向二极管电压

1.2V

高度

15.1mm