Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 105 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, U-MOSVIII-H系列
- RS 库存编号:
- 125-0579
- 制造商零件编号:
- TK58E06N1,S1X(S
- 制造商:
- Toshiba
不可供应
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- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 105 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 系列 | U-MOSVIII-H | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 5.4 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 4.45mm | |
| 长度 | 10.16mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| 高度 | 15.1mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 105 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
系列 U-MOSVIII-H | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 5.4 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 110 W | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 4.45mm | ||
长度 10.16mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V | ||
高度 15.1mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
MOSFET 晶体管，Toshiba