Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 5.8 A, TO-220SIS, 通孔安装, 3引脚, DTMOSIV系列

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RS 库存编号:
125-0588
制造商零件编号:
TK6A65W,S5X(M
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

通道类型

N

最大连续漏极电流

5.8 A

最大漏源电压

650 V

封装类型

TO-220SIS

系列

DTMOSIV

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

1 Ω

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.5V

最小栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

30 W

最大栅源电压

-30 V、+30 V

典型栅极电荷@Vgs

11 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

长度

10mm

最高工作温度

+150 °C

宽度

4.5mm

高度

15mm

正向二极管电压

1.7V

MOSFET N 通道，TK 6 和 TK 7系列，Toshiba



MOSFET 晶体管，Toshiba