Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 9.3 A, IPAK (TO-251), 通孔安装, 3引脚, DTMOSIV系列

品牌

Toshiba

通道类型

N

最大连续漏极电流

9.3 A

最大漏源电压

650 V

系列

DTMOSIV

封装类型

IPAK (TO-251)

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

560 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.5V

最小栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

80 W

最大栅源电压

-30 V、+30 V

宽度

2.3mm

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

20 nC @ 10 V

长度

6.65mm

晶体管材料

Si

高度

7.12mm

正向二极管电压

1.7V