IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 200 A, SOT-227, 表面安装, 4引脚, IXFN200N10P, Polar HiPerFET系列

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制造商零件编号:
IXFN200N10P
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

200A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

Polar HiPerFET

包装类型

SOT-227

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

7.5mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.5V

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

235nC

最大功耗 Pd

680W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

宽度

25.07 mm

高度

9.6mm

长度

38.23mm

标准/认证

No

汽车标准

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列


IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)

MOSFET 晶体管,IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备