IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 360 A, SOT-227, 表面安装, 4引脚, IXFN360N10T, GigaMOS Trench HiperFET系列

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RS 库存编号:
125-8041
Distrelec 货号:
302-53-370
制造商零件编号:
IXFN360N10T
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

360A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SOT-227

系列

GigaMOS Trench HiperFET

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

2.6mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

525nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

830W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

宽度

25.07 mm

标准/认证

No

高度

9.6mm

长度

38.23mm

汽车标准

Distrelec Product Id

30253370

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列


MOSFET 晶体管,IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备