IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 178 A, SOT-227, 表面安装, 4引脚, IXTN200N10L2, Linear L2系列
- RS 库存编号:
- 125-8048
- 制造商零件编号:
- IXTN200N10L2
- 制造商:
- IXYS
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- 制造商零件编号:
- IXTN200N10L2
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 178A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | Linear L2 | |
| 包装类型 | SOT-227 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 830W | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 540nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 25.07 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 38.23mm | |
| 高度 | 9.6mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 178A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 Linear L2 | ||
包装类型 SOT-227 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 11mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 830W | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 540nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 25.07 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 38.23mm | ||
高度 9.6mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N 通道功率 MOSFET，IXYS Linear 系列
N 通道功率 MOSFET 专门设计用于线性操作。这些设备具有扩展的正向偏置安全工作区域 (FBSOA)，可提高坚固性和可靠性。
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备