Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 6.8 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, CoolMOS CE系列
- RS 库存编号:
- 130-0898P
- 制造商零件编号:
- IPD60R1K0CEAUMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 130-0898P
- 制造商零件编号:
- IPD60R1K0CEAUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolMOS CE | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 61W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6.8A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolMOS CE | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 61W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 6.22 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.41mm | ||
长度 6.73mm | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 CoolMOS™ CE 系列 MOSFET，6.8A 最大连续漏极电流，61W 最大功率耗散 - IPD60R1K0CEAUMA1
这款高压 MOSFET 专为提高各种电源应用的性能而设计。它适用于需要强大开关功能的系统，并服务于自动化和电子等行业。CoolMOS 技术采用超结原理，可确保在各种工作条件下的效率和可靠性。
特点和优势
• 减少开关和传导损耗，提高效率
• 坚固的体二极管可承受硬换向，提高了可靠性
• 低栅极电荷特性简化了运行期间对驱动器的要求
• 增强的静电放电（ESD）稳健性提高了在具有挑战性的环境中的耐用性
• 适用于硬开关和软开关应用，可优化性能
应用
• 用于功率因数校正阶段，实现有效的能源管理
• 采用硬开关 PWM 阶段，实现高效的功率转换和控制
• 与各种设备的谐振开关级无缝集成
• 适用于照明、服务器和电信设备等多个领域
开关行为对运行期间的能效有何影响？
开关性能非常重要，因为较低的开关损耗有助于提高整体效率，从而降低运行温度和发热量，延长系统寿命。
建议在安装过程中采取哪些保护措施？
建议在栅极或独立的图腾柱上使用铁氧体磁珠，以减少振铃并确保开关期间的稳定运行。
能否在极端温度条件下有效运行？
MOSFET 的额定工作温度为 -40°C 至 +150°C，可在各种环境条件下实现可靠的功能。
并联多台设备时应注意什么？
为实现有效并联，应采用适当的栅极驱动技术，以实现器件之间的均衡电流分配并优化性能。
最大额定值对系统设计有什么影响？
了解最大额定值（如连续漏极电流和电压限制）对系统设计至关重要，可避免超过这些阈值，确保应用的性能和可靠性。